Erste 80 V/100 V-MOSFETs aus Nexperias neuer 8-Zoll-Wafer-Produktionslinie in Manchester bieten Rekordwerte für Qrr

×

Erste 80 V/100 V-MOSFETs aus Nexperias neuer 8-Zoll-Wafer-Produktionslinie in Manchester bieten Rekordwerte für Qrr

June 24, 2021

Nijmegen -- Neue Fertigungsstraße erweitert die Produktionskapazität
und beseitigt Lieferengpässe

Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, gibt bekannt, dass ab sofort die ersten 80-V- und 100-V-MOSFETs aus seiner neuen 8-Zoll-Wafer-Fertigungsstraße in Manchester, Groß­britan­nien, liefer­bar sind. Die neuen Bau­teile basie­ren auf Nexperias neuester NextPower-Silizium-Tech­no­logie und zeichnen sich durch beson­ders geringe RDS(on)- und Qrr-Werte aus. Die neue Fertigungs­straße erwei­tert ab sofort Nexperias Produktions­kapazität; die neuen MOSFETs PSMN3R9-100YSF (100 V) und PSMN3R5-80YSF (80 V) bieten die niedrigsten FOM- (Figure of Merit, RDS(on) x Qrr) Werte unter allen vergleich­baren Bau­teilen am Markt.

Mike Becker, Nexperias Produkt­manager, kommentiert: "Angesichts der weltweiten Halbleiter­knappheit sind Nexperias Investitionen zur Kapazitätserweiterung in seinen weltweiten Produk­tions­stätten, einschließlich Manchester und den Philippinen, wo diese MOSFETs hergestellt werden, für die Kunden eine höchst willkommene Nachricht. Ent­wick­ler werden von den Spezi­fi­ka­tionen der neuen MOSFETs begeistert sein. Die Bau­teile eignen sich bestens für Schalt­anwen­dungen aller Art und sind hervor­ragende Second-Source-Optionen für Produkte anderer Herstel­ler."

Die NextPower-80-V- und 100-V-Silizium-MOSFETs verringern den RDS(on) von 100-V-Typen von 7 mΩ auf nur noch 4,3 mΩ und erhöhen dadurch signi­fi­kant den Wirkungs­grad. Die NextPower-Tech­no­logie erzielt außer­dem bei der Qrr-Spezi­fi­ka­tion einen Klassenrekord von nur 44 nC (bei dem 100-V-Typ) und redu­ziert dadurch Spiking-Effekte und Stör­strahlung. Die Qrr-Spezi­fi­ka­tion des 100-V-Typs ist um beachtliche 61% geringer als bei Wett­bewerbs­pro­dukten.

Die neuen 80-V- und 100-V-MOSFETs besitzen das von Nexperia ent­wickelte, thermisch und elek­trisch opti­mierte LFPAK56E-Gehäuse mit Kupferclip-Tech­no­logie. Die neuen MOSFETs eignen sich bestens für Schalt­anwen­dungen unterschiedlichster Art, darunter AC/DC-Wandler, DC/DC-Wandler und Motor­steue­rungen.

Weitere Infor­ma­ti­onen einschließ­lich Produkt­spezi­fi­ka­tionen und Daten­blättern finden Sie unter www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS

 

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 90 Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, und Leistungsfähigkeit immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.

 

Nexperia: Efficiency wins.

Weitere Presseinformationen über:

Nexperia Agentur: BWW Communications

Petra Beekmans, Head of Communications & Branding
Telefon: +31 6 137 111 41
E-Mail: petra.beekmans@nexperia.com

Nick Foot, director
Telefon: +44-1491-636393
E-Mail: Nick.foot@bwwcomms.com