Nexperia stellt neue Generation in 650-V-GaN-Technik vor

Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, bringt ein neues Portfolio von GaN-FET-Bauteilen in der neuen GaN-Hochvolt-Technik HEMT H2 auf den Markt, das sowohl im TO-247 als auch im eigenen CCPAK-Package in SMD-Technik erhältlich ist. Die Bauelemente weisen einen überlegenen Figure-of-Merit (Gütefaktor R_DS(on) x Q_GD) auf und kombinieren hervorragende Schalt- und Leiteigenschaften bei mehr Stabilität. Dank der Kaskodenkonfiguration vereinfachen sie die Auslegung der Applikation, da keine Notwendigkeit eines komplizierten Treibers oder einer komplexen Ansteuerung besteht.  Die Bauelemente können einfach über normale Si-MOSFET-Treiber angesteuert werden

Bei der neuen GaN-Technologie wird eine neue Kontaktierungstechnik durch die Epitaxieschicht (through-epi vias) hindurch verwendet, welche die Fehlerrate reduziert und zu einer Reduktion der Die-Fläche um ca. 24 % führt. Hierdurch wird in der Erstausführung im herkömmlichen TO-247 ein R_DS(on) von lediglich 41 mΩ (max., 35 mΩ typ. bei 25 °C) bei gleichzeitiger hoher Schwellenspannung und niedriger Dioden-Durchlassspannung erreicht. Durch die Nutzung des eigenen SMD-fähigen CCPAK-Packages kann der R_DS(on) sogar auf 39 mΩ (max., 33 mΩ typ. bei 25 °C) verringert werden. Beide Ausführungen erfüllen die Anforderungen gemäß AEC-Q101 für den Automobilbau.

Dilder Chowdhury, GaN Strategic Marketing Director bei Nexperia, dazu: „Die Kunden brauchen eine hoch effiziente und kosteneffektive Lösung im R_DS(on)-Bereich von 30 mΩ bis 40 mΩ für die Energiewandlung bei 650 V. Relevante Applikationen sind hier zum Beispiel Bordladegeräte, DC/DC-Konverter und Fahrmotorwechselrichter in E-Fahrzeugen sowie industrielle Stromversorgungen im Bereich von 1,5 kW bis 5,0 kW für 5G-, Datacenter- und Telekommunikationstechnik im Rack mit dem höchsten Wirkungsgrad ‚Titanium‘. Nexperia investiert weiter in die Entwicklung und Erweiterung seiner Produkte, die die neuesten GaN-Prozesse nutzen. Zuerst sind die konventionellen TO-247-Ausführungen und Bare die-Formate für Hersteller von Leistungsmodulen erhältlich, gefolgt von unseren SMT-fähigen Hochleistungs-Packages CCPAK.“

Das CCPAK verwendet Nexperia’s bewährte und innovative Kupferclip-Package-Technik und ersetzt interne Bonddrähte. Hierdurch werden parasitäre Verluste reduziert, die elektrischen und thermischen Eigenschaften optimiert und die Zuverlässigkeit erhöht. GaN-FETs im CCPAK sind als oben- oder untenseitengekühlte Konfigurationen (Top- & Bottom-Side Cooling) erhältlich, wodurch sie sehr vielfältig sind und zur weiteren Verbesserung der Wärmeabführung beitragen.

Die 650-V-Bauelemente GAN041-650WSB im TO-247 und GAN039-650NBB im CCPAK sind als Muster erhältlich. Weiterführende Informationen sowie Produktspezifikationen und Datenblätter sind auf www.nexperia.com/gan-fets zu finden.

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 90 Milliarden Produkte im Jahr aus, wovon jedes einzelne die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllt. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, Leistung und Eigenschaften immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf.

Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.

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