Silizium-Germanium (SiGe)-Gleichrichter von Nexperia vereinen höchste Effizienz mit thermischer Stabilität und sparen Platz

May 27, 2020

Nijmegen -- Die AEC-Q101-zugelassenen Bauelemente mit 120 V, 150 V und 200 V vereinen die besten Eigenschaften von schnell schaltenden PN-Dioden und Schottky-Dioden

Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, hat neue Silizium-Germanium (SiGe)-Gleichrichter mit Sperrspannungen von 120 V, 150 V und 200 V vorgestellt, die die hohen Wirkungsgrade von Schottky-Dioden und die thermische Stabilität von Fast Recovery-Dioden in sich vereinen.

Die neuen SiGe-Gleichrichter für Ströme von 1 A bis 3 A sind für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Server konzipiert und zeigen ihre Qualitäten insbesondere bei Hochtemperatur-Anwendungen wie LED-Beleuchtung, in Motorsteuergeräten oder in der Kraftstoffeinspritzung. Designer, die die neuen und äußerst leckstromarmen Bauelemente einsetzen, können einen erweiterten sicheren Betriebsbereich bis 175 °C zuverlässig nutzen, ohne dass die Bauteile thermisch instabil werden („Thermal runaway“). Gleichzeitig können sie ihr Design auf höhere Effizienz optimieren, was mit PN-Dioden, die üblicherweise in Hochtemperatur-Umgebungen eingesetzt werden, nicht möglich ist. Durch eine sehr niedrige Durchlassspannung Vf und kleine Qrr-Werte verzeichnen die SiGe-Gleichrichter einen signifikanten Vorteil bei Leitungs- und Schaltverlusten.

Die SiGe-Bauelemente aus der PMEG-Baureihe (PMEGxGxELR/P) sind in platzsparenden und thermisch optimierten CFP3- und CFP5-Packages erhältlich, die mittlerweile zum Branchenstandard für Leistungsdioden geworden sind. Dank des Kupferclips konnte der Wärmewiderstand reduziert und die Ableitung der Wärme in den Umgebungsbereich optimiert werden, was kleine und kompakt ausgelegte Leiterplatten-Designs ermöglicht. Darüber hinaus ist beim Wechsel zur SiGe-Technologie der einfache, pinkompatible Ersatz von PN- und Schottky-Dioden möglich.

Jan Fischer, Produktmanager bei Nexperia: „Durch Nexperias neue Silizium-Germanium-Technologie ergeben sich für Entwickler ganz neue Optionen, Designs für Leistungselektronik zu realisieren – und marktführende Produkte anzubieten. SiGe ist die perfekte Ergänzung unseres Angebots von Leistungsdioden, zu dem mehr als 100 Schottky- und Fast Recovery-Dioden im Clip-gebondeten FlatPower(CFP)-Package gehören. Wir werden dieses Portfolio zukünftig noch weiter ausbauen, um Designern stets ein Bauelement an die Hand geben zu können, das ideal zu ihrer Anwendung passt.“

Die ersten vier AEC-Q101-qualifizierten 120 V-Gleichrichter in SiGe-Technik werden bereits in Serie gefertigt. Weitere acht 150V und 200 V-Bauelemente befinden sich zurzeit in der Bemusterung und werden Ende Juni in großen Stückzahlen erhältlich sein.

Weiterführende Informationen zu den SiGe-Gleichrichtern von Nexperia sowie Produktspezifikationen und Datenblätter finden Sie unter www.nexperia.com/sige-rectifiers.

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 90 Milliarden Produkte im Jahr aus, wovon jedes einzelne die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllt. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, Leistung und Eigenschaften immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf.

Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.

Nexperia: Efficiency wins.

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