넥스페리아, 최대 48배의 전력 밀도 제공하는 새로운 8mm x 8mm LFPAK MOSFET 제품군 출시

May 07, 2019

Nijmegen -- LFPAK88, 40V 범위, 자동차 및 산업 포트폴리오, 60 % 공간 효율 특징

 

디스크리트, 로직 및 MOSFET 디바이스 분야의 글로벌 리더인 넥스페리아(Nexperia)가 MOSFET 및 LFPAK 제품군의 새로운 패키지를 발표했다. 이 패키지는 최신 실리콘 기술이 적용되어 RDS(on)이 0.7mΩ로 낮은 40V MOSFET를 제공한다. LFPAK88 디바이스는 D²PAK 및 D²PAK-7처럼 크기가 큰 전력 패키지를 대체할 수 있으며, 8mm x 8mm 크기로 60%의 공간 감소 및 64%의 낮은 프로파일을 제공하는 것이 특징이다.

성능이 종종 내부 본드 와이어에 의해 제한되는 다른 패키지와 달리 LFPAK88 디바이스는 구리 클립 및 솔더 다이 부착 구조가 적용되어 전기적 및 열 저항이 낮으며, 전류 확산 및 열 분산이 뛰어나다. 또한 구리 클립의 열용량(thermal mass)은 핫스폿(hot-spot) 형성을 감소시켜 애벌런치 에너지(Eas) 및 선형 모드(SOA) 성능을 향상시킨다. 신제품은 패키지는 더 작아진 가운데 425A의 높은 연속 및 실측 전류 정격 ID(max) 및 0.7mΩ의 낮은 RDS(on)의 특징을 가짐으로써 D2PAK 디바이스에 비해 48배에 달하는 시장 최고 수준의 전력 밀도를 제공한다.

마지막으로 LFPAK88은 저응력 걸윙(gull wing) 리드 타입으로 되어 있어 패키지가 더욱 견고하고 열에도 강하기 때문에 AEC-Q101 규격의 요건보다 2배 이상 향상된 신뢰성을 제공한다. 넥스페리아의 제품 매니저인 닐 메시(Neil Massey)는 "LFPAK88을 실리콘 기술과 결합하면 D2PAK의 전력 밀도보다 48배에 달하는 MOSFET을 얻을 수 있다. 이것은 LFPAK을 개발한 넥스페리아가 여전히 이 기술의 선두주자임을 증명하는 것"이라고 말했다.

LFPAK88 MOSFET은 자동차 인증(BUK) 및 산업(PSMN) 등급으로 제공된다. 사용 가능한 자동차 애플리케이션으로는 제동시스템, 조향시스템 , 배터리 역전압 보호 및 DC-DC 컨버터가 있으며, 이들 분야에서 LFPAK88 제품을 이용하면 공간절약이 가능해 듀얼 리던던트 회로에서 특히 유용하다. 산업용 애플리케이션으로는 배터리 구동 방식의 전동 공구, 전문가용 전원 공급 장치 및 통신 인프라 장비가 있다.

제품 사양 데이터 시트를 포함한 새로운 40V LFPAK88 MOSFET 대한 자세한 내용은 www.nexperia.com/lfpak88에서 확인할 있다.

넥스페리아 회사소개

넥스페리아는  디스크리트, 로직 및 MOSFET 집중하는 전세계 선도업체로 2017년 초에 독립했다.  효율성을 기반으로, 한결같이 신뢰성이 높은 반도체 부품들을 연간 약 900억개 양산하고 있다. 넥스페리아의 광범위한 제품군은 자동차 업계의 까다로운 표준을 충족한다. 업계 선도적이면서 자체 공장에서 생산된 넥스페리아의 소형 패키지는 뛰어난 전력 및 열 효율성을 바탕으로 업계 최고 수준의 품질을 자랑한다. 전세계 굴지 기업들에게 50여년간 부품을 공급해온 넥스페리아는 아시아, 유럽, 미국 전역에 11,000여명의 직원을 두고 있으며, 글로벌 고객 지원 체계를 갖추고 있다. 넥스페리아는 광범위한 IP 제품군을 보유하고 있으며, ISO 9001, IATF 16949, ISO 14001 및 OHSAS 18001 인증을 획득했다. 

Nexperia: Efficiency wins.

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