Nexperia erweitert seine MOSFET-Produktfamilie LFPAK56D um eine AEC-Q101-qualifizierte Halbbrücken-Konfiguration

Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, präsen­tiert eine neue, für Auto­mobilanwen­dungen vorge­sehene Serie von Halbbrücken- (high-side und low-side) MOSFETs im platzsparenden LFPAK56D-Gehäuse. Die aus zwei MOSFETS bestehende Halbbrücken­konfi­gu­ra­tion ist ein Stan­dard­baustein für viele Auto­mobilanwen­dungen, darunter Motor­steue­rungen und DC/DC-Wandler. Das neue Gehäuse bietet eine Halbbrücken­lösung in Form eines einzigen kompakten Bau­teils, das im Ver­gleich zu zwei diskreten MOSFETs Leiterbahnen einspart und dadurch 30% weniger Leiter­platten­fläche bean­sprucht; es eignet sich bestens für 3-Phasen-Motor­steue­rungen und verein­facht im Produktionsprozess die auto­ma­ti­sierte Sichtkontrolle (AOI). Die Halbbrücke LFPAK56D wird in einem Bestückungsprozess verarbeitet, der sich in Auto­mobilanwen­dungen bereits viel­fach als hochzuver­lässig erwiesen hat. Das Gehäuse mit flexiblen Anschlüssen erhöht die Gesamtzuverlässigkeit, und die interne Kupferclip-Verbindung zwischen den beiden MOSFETs vereinfacht das Leiterplattendesign; das Ergeb­nis ist eine Plug-and-Play-Lösung mit einer außergewöhnlich hohen Strombelastbarkeit von 98 A.

Bei einer Halbbrückenanordnung aus zwei diskreten MOSFETs ist die Leiterplattenverbindung zwischen dem Source-Anschluss des High-Side-MOSFETs und dem Drain-Anschluss des Low-Side-MOSFETs mit einer beträchtliche Parasitärinduktivität behaftet. Die interne Clip-Verbin­dung im Halbbrücken-Gehäuse des LFPAK56D redu­ziert diese Induk­tivi­tät um 60%.

Die neuen Halbbrücken-MOSFETs der LFPAK56D-Familie mit den Typen­bezeich­nungen BUK7V4R2-40H und BUK9V13-40H basie­ren auf der äußerst robusten, auf die Anfor­de­rungen der Auto­mobil­indus­trie zuge­schnit­tenen Trench-9-Silizium-Prozess­tech­no­logie, sind für Nenn­spannungen bis 40 V spezi­fi­ziert und werden nach Kriterien getestet, die im Ver­gleich zum AEC-Q101-Stan­dard doppelt so anspruchs­voll sind. Die RDS(on)-Wider­stände betra­gen 4,2 mOhm (BUK7V4R2) bzw. 13 mOhm (BUK9V13).

Die AEC-Q101-qualifizierten Halbbrücken­-MOSFETs im LFPAK56D-Gehäuse von Nexperia eignen sich für eine Vielzahl von 3-Phasen-Anwendungen im Antriebsstrang von Auto­mobilen, darunter Kraftstoff- und Wasserpumpen, Motor­steue­rungen und DC/DC-Wandler; sie bean­spruchen 30% weniger Leiter­platten­fläche und bieten durch ihre um 60% geringere Parasitär­induk­tivi­tät hervor­ragende Schalt­eigen­schaften. Die neue Technologie wird bereits erfolg­reich von namhaften Auto­mobilherstel­lern genutzt.

Weitere Infor­ma­ti­onen, einschließ­lich Produkt­daten­blättern und informativen Videos finden Sie unter www.nexperia.com/lfpak56d-half-bridge

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 90 Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, Leistung und Eigenschaften immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.

Nexperia: Efficiency wins.

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