Nexperia erweitert seine MOSFET-Produktfamilie LFPAK56D um eine AEC-Q101-qualifizierte Halbbrücken-Konfiguration
February 23, 2021Nijmegen -- Die platzsparende Halbbrücke LFPAK56D eignet sich dank ihrer um 60% geringeren Parasitärinduktivität und verbesserter Wärmeableitung ideal für Antriebsstrang-, Motorsteuerungs- und DC/DC-Wandler-Anwendungen
Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, präsentiert eine neue, für Automobilanwendungen vorgesehene Serie von Halbbrücken- (high-side und low-side) MOSFETs im platzsparenden LFPAK56D-Gehäuse. Die aus zwei MOSFETS bestehende Halbbrückenkonfiguration ist ein Standardbaustein für viele Automobilanwendungen, darunter Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler. Das neue Gehäuse bietet eine Halbbrückenlösung in Form eines einzigen kompakten Bauteils, das im Vergleich zu zwei diskreten MOSFETs Leiterbahnen einspart und dadurch 30% weniger Leiterplattenfläche beansprucht; es eignet sich bestens für 3-Phasen-Motorsteuerungen und vereinfacht im Produktionsprozess die automatisierte Sichtkontrolle (AOI). Die Halbbrücke LFPAK56D wird in einem Bestückungsprozess verarbeitet, der sich in Automobilanwendungen bereits vielfach als hochzuverlässig erwiesen hat. Das Gehäuse mit flexiblen Anschlüssen erhöht die Gesamtzuverlässigkeit, und die interne Kupferclip-Verbindung zwischen den beiden MOSFETs vereinfacht das Leiterplattendesign; das Ergebnis ist eine Plug-and-Play-Lösung mit einer außergewöhnlich hohen Strombelastbarkeit von 98 A.
Bei einer Halbbrückenanordnung aus zwei diskreten MOSFETs ist die Leiterplattenverbindung zwischen dem Source-Anschluss des High-Side-MOSFETs und dem Drain-Anschluss des Low-Side-MOSFETs mit einer beträchtliche Parasitärinduktivität behaftet. Die interne Clip-Verbindung im Halbbrücken-Gehäuse des LFPAK56D reduziert diese Induktivität um 60%.
Die neuen Halbbrücken-MOSFETs der LFPAK56D-Familie mit den Typenbezeichnungen BUK7V4R2-40H und BUK9V13-40H basieren auf der äußerst robusten, auf die Anforderungen der Automobilindustrie zugeschnittenen Trench-9-Silizium-Prozesstechnologie, sind für Nennspannungen bis 40 V spezifiziert und werden nach Kriterien getestet, die im Vergleich zum AEC-Q101-Standard doppelt so anspruchsvoll sind. Die RDS(on)-Widerstände betragen 4,2 mOhm (BUK7V4R2) bzw. 13 mOhm (BUK9V13).
Die AEC-Q101-qualifizierten Halbbrücken-MOSFETs im LFPAK56D-Gehäuse von Nexperia eignen sich für eine Vielzahl von 3-Phasen-Anwendungen im Antriebsstrang von Automobilen, darunter Kraftstoff- und Wasserpumpen, Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler; sie beanspruchen 30% weniger Leiterplattenfläche und bieten durch ihre um 60% geringere Parasitärinduktivität hervorragende Schalteigenschaften. Die neue Technologie wird bereits erfolgreich von namhaften Automobilherstellern genutzt.
Weitere Informationen, einschließlich Produktdatenblättern und informativen Videos finden Sie unter www.nexperia.com/lfpak56d-half-bridge
Über Nexperia
Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 90 Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, Leistung und Eigenschaften immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.
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