Nexperia bringt GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad und branchenweit führenden Eigenschaften auf den Markt

Nexperia, der Spezialist für diskrete bipolar und MOSFET-Bauelemente sowie Analog- und Logikbausteine, hat heute seinen Eintritt in den Galliumnitrid(GaN)-FET-Markt bekannt gegeben. Dies geschieht mit der Vorstellung des 650-Volt GAN063-650WSA, einem sehr robusten Bauelement mit einer Gate-Source-Spannung (VGS) von ±20 V und einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Der GAN063-650WSA weist dank seines niedrigen RDS(on) – bis auf 60 mΩ herunter – und hoher Schaltgeschwindigkeiten einen sehr hohen Wirkungsgrad auf.

Nexperia richtet sich auf Segmente mit Hochleistungsanwendungen aus, zu denen neben Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur unter anderem auch die industrielle Automation und High-End-Netzteile gehören. Der sehr robuste und ausgereifte GaN-on-Silicon-Prozess von Nexperia überzeugt nicht nur durch bewährte Qualität und Zuverlässigkeit, er ist auch äußerst skalierbar, da die Wafer in vorhandenen Fertigungsanlagen hergestellt werden können. Dieses Bauelement ist im Industriestandard TO-247 erhältlich, wodurch sich die Kunden die hervorragenden GaN-Eigenschaften im bekannten Gehäuse zunutze machen können.

Dazu Toni Versluijs, General Manager der MOS Business Group bei Nexperia: „Dies ist ein strategischer Schritt für Nexperia in den Bereich Hochspannung, und wir können jetzt die Technik für Leistungshalbleiter in Elektrofahrzeugen bereitstellen. Unsere GaN-Transistor-Technologie hat die Serienreife erreicht und ist ausreichend skalierbar, um den Anforderungen von Applikationen, die hohe Volumen benötigen, gerecht zu werden. Der Sektor Automotive gehört zu den wichtigsten Zielmärkten für Nexperia und wird laut Prognose in den kommenden zwanzig Jahren beträchtlich wachsen, da Elektrofahrzeuge die Fahrzeuge mit herkömmlichen Verbrennungsmotoren als bevorzugtes privates und öffentliches Verkehrsmittel ersetzen werden.“

Der GaN-FET GAN063-650WSA von Nexperia ist der erste in einem Portfolio mit GaN-Bauelementen, die Nexperia speziell für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie entwickelt. Weiterführende Informationen zum neuen GAN063-650WSA wie zum Beispiel Produktspezifikationen und das Datenblatt, finden Sie auf https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html

Über Nexperia

Nexperia ist der Spezialist auf dem Gebiet der Serienproduktion von diskreten und MOSFET-Bauelementen sowie Analog- und Logikbausteinen für die strengen Anforderungen der Automobilbranche. Mit ständigem Blick auf höchste Effizienz produziert Nexperia Halbleiterbauelemente in gleichbleibend hoher Qualität, ohne die keine Elektronik auskommt – und davon mehr als 90 Milliarden pro Jahr. Das sind Produkte, die bei Prozess, Größe, Leistung und Eigenschaften immer wieder neue Maßstäbe setzen – und das bei branchenführend kompakten Packages mit wenig Energie- und Platzbedarf. 
Mit Jahrzehnten an Erfahrung beliefert Nexperia viele der weltgrößten Unternehmen, beschäftigt über 11.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA, und bietet globalen Support. Das Unternehmen verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.

Nexperia: Efficiency wins.

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