Neue diskrete 600-V-IGBTs von Nexperia für erstklassige Effizienz in Leistungsanwendungen

Nexperia, der Experte für essentielle Halbleiter, erweitert heute das Produktportfolio um Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT), angefangen mit einem 600-V-Bauelement, dem 30-A-NGW30T60M3DF. Damit reagiert Nexperia auf die wachsende Nachfrage nach effizienten Hochspannungs-Bauelementen mit unterschiedlichen Leistungs- und Kostenanforderungen. IGBTs ermöglichen eine höhere Leistungsdichte in Leistungsumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen, einschließlich industrieller Motorantriebe wie Servomotoren von 5 bis 20 kW (20 kHz), Robotik, Aufzüge, Greifer, Inline-Fertigung, Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Photovoltaik-Strings, EV-Ladevorgänge sowie Induktionserwärmung und Schweißgeräte.

Obwohl es sich bei den IGBTs um eine relativ ausgereifte Technologie handelt, steht der Markt u. A. aufgrund der zunehmenden Verbreitung von Solarpanels und Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV) vor einem erheblichen Wachstum. Mit der zunehmenden Verbreitung dieser Technologien wird die Nachfrage nach IGBTs weiter ansteigen. Die 600-V-IGBTs von Nexperia zeichnen sich durch eine robuste, kosteneffiziente, trägergespeicherte Trench-Gate-Konstruktion mit fortschrittlichem Field-Stop (FS) aus. Diese bietet eine außergewöhnlich niedrige Leitungs- und Schaltverlustleistung mit hoher Robustheit bei Betriebstemperaturen von bis zu 175 °C. Damit verbessert das Bauteil die Effizienz und Zuverlässigkeit von Wechselrichtern, Induktionsheizungen, Schweißgeräten und industriellen Anwendungen wie Motorantrieben und Servos, Robotik, Aufzügen, Greifern und Inline-Fertigung.

Design Ingenieure können zwischen den IGBTs der Serien Medium Speed (M3) und High Speed (H3) wählen. Diese IGBTs wurden mit einer sehr engen Parameterverteilung entwickelt, so dass mehrere Geräte sicher parallel geschaltet werden können. Darüber hinaus können sie aufgrund ihres geringeren Wärmewiderstands als konkurrierende Bauelemente eine höhere Ausgangsleistung liefern. Diese IGBTs sind als soft fast reverse-recovery Dioden ausgelegt. Das bedeutet, dass sie sich für Gleichrichter- und bidirektionale Schaltungsanwendungen oder zum Schutz vor Überstrombedingungen eignen.

"Mit der Markteinführung dieser IGBTs bietet Nexperia Entwicklern eine größere Auswahl an schaltenden Bauelementen für eine breite Palette von Leistungsanwendungen", so Dr. Ke Jiang, General Manager Business Group Insulated-Gate Bipolar Transistors & Modules bei Nexperia." Die IGBTs ergänzen perfekt Nexperias aktuelles Angebot an CMOS- und Wide-Bandgap-Bauelementen und stärken Nexperias Position als Anbieter umfangreicher Lösungen für Entwickler von Leistungselektronik."

Diese IGBTs sind in einem Standard-TO247-3L-Gehäuse erhältlich und für HV-H3TRB für Außenanwendungen qualifiziert. Nexperia plant, dieser Version eine Serie von 1200-V-IGBTs folgen zu lassen. Weitere Informationen über die IGBTs von Nexperia finden Sie unter: https://www.nexperia.com/igbts

Über Nexperia

Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 15.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte entwickelt und produziert Nexperia essentielle Halbleiter, Komponenten, welche die Basisfunktionen von praktisch jedem elektronischen Design auf der Welt ermöglichen. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen. 
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Bauteilen pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich im umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
 

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