Nexperiaの LFPAK MOSFETファミリーの新製品、 サイズ8 x 8 mmで出力密度は最大48倍

ディスクリート、ロジック、MOSFET素子の世界的リーダーであるNexperia（ネクスペリア社）は、本日、MOSFETの新パッケージ製品を発表しました。LEPAKパッケージと最新のシリコン技術の組み合わせにより、0.7 mΩという低オン抵抗（RDS_(on)）の40 V MOSFETが誕生しました。LFPAK88は、サイズ8 x 8 mm 、D²PAK およびD²PAK-7等のより大きなパワーパッケージを代替でき、フットプリントは60％、プロファイルは64％小さくなっています。

内部のボンドワイヤにより性能が制限されることが多い他のパッケージに比べ、LFPAK88デバイスは、銅クリップはんだダイ接着工法を採用しているため、電気抵抗、熱抵抗が低く、電流拡散と熱分散が良好です。また、銅クリップのサーマルマスがホットスポットの形成を抑制し、アバランシュエネルギー（Eas）およびリニアモードでの安全動作領域が向上します。小さなパッケージサイズにおいて、継続的に高い、立証された定格電流ID_(max) 425 Aと低オン抵抗（RDS_(on)）0.7 mΩの組み合わせにより、D²PAK デバイスに比べて48倍以上という、業界最大級の出力密度を実現します。

また、LFPAK88は、低ストレスガルウィング形状のリードの採用により、より堅牢で熱的に丈夫なパッケージであり、その信頼性は、AEC-Q101の要求レベルを2倍以上上回っています。ネクスペリア社の製品マネージャーであるニール・メッセー（Neil Massey）は次のように述べています。「LFPAK88と当社のシリコン技術の組み合わせにより、D²PAK の出力密度の48倍を誇るMOSFETが誕生しました。これは、LFPAKの発明者であるネクスペリア社が、今もってこの技術のリーダーであることを示すものです。」

LFPAK88 MOSFETは、車載用グレード（BUK）および工業用グレード（PSMN）の両方で提供可能です。車載用用途は、ブレーキ、パワーステアリング、逆バッテリー保護、DC-DCコンバータ―等であり、デバイスの使用による省スペース実現は、二重化冗長回路において特に有効です。工業用用途は、電池式パワーツール、工業用電源、電気通信インフラ機器です。

製品仕様およびデータシートを含む、40V LFPAK88 MOSFET新商品のより詳しい情報は、当社ウェブサイトをご覧ください：www.nexperia.com/lfpak88

Nexperia（ネクスペリア社）について

ネクスペリア社は、ディスクリート、ロジック、MOSFETデバイスを専門とする世界的なリーディング企業です。2017年初めに独立しました。効率を重視し、一貫して信頼性の高い半導体部品を年間900億個生産しています。その広範な製品ラインナップは自動車業界の設定した厳格な基準に適合しています。自社工場で製造される業界をリードする小型パッケージで、クラス最高の品質レベルとともに、優れた電力効率と熱効率を実現しています。
世界の大企業のサプライヤとして半世紀を超える歴史があり、ネクスペリア社は、アジア、欧州、米国で11,000名の従業員を雇用し、世界中のお客様をサポートします。広範なIPポートフォリオを有しており、ISO9001、IATF16949、ISO14001およびOHSAS18001認証を取得しています。

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