넥스페리아, D2PAK-7 패키징의 업계 최고 자동차 인증 1200V SiC MOSFET 출시

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 오늘  30, 40, 60mΩ의 RDS(on) 값을 가진 매우 효율적이고 견고한 자동차 인증 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 발표했다. 업계 최고의 FoM(Figure-of-Merit)을 제공하는 이 소자들 (모델명: NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q)는 이전에 산업용 등급이었지만 이제 AEC-Q101 인증을 받았다.

이 제품들은 전기 자동차(EV)의 온보드 충전기(OBC) 및 트랙션 인버터 등 자동차 애플리케이션뿐만 아니라 DC-DC 컨버터, 난방, 환기 및 공조 시스템(HVAC)에도 적합하다. 이 스위치들은 쓰루홀 소자보다 자동 조립 작업에 더 적합함으로 인해 점점 더 대중화되고 있는 표면 실장 D2PAK-7 패키지로 제공된다.

RDS(on)은 전도 손실에 영향을 미치기 때문에 SiC MOSFET에서 중요한 성능 매개변수로 작용한다. 그러나 공칭 값에 집중하면 소자의 작동 온도가 상승함에 따라 100% 이상 증가할 수 있다는 사실을 간과하여 전도 손실이 크게 증가할 수 있다. SMD 패키지 기술을 사용할 때는 소자가 PCB를 통해 냉각되기 때문에 쓰루홀 기술에 비해 온도 안정성이 훨씬 더 중요해진다.

넥스페리아는 이를 SiC 소자의 성능 제한 요인으로 파악하고 혁신적인 공정 기술을 활용해 새로운 SiC MOSFET이 25°C에서 175°C의 작동 온도 범위에서 RDS(on)의 공칭 값을 38%만 늘리면서 업계 최고의 온도 안정성을 제공하게 했다.  이 기능을 통해 고객사들은 성능 저하 없이 다른 공급업체에 비해 넥스페리아가 제공하는 더 높은 공칭 25°C 정격 RDS(on)로 달성한 애플리케이션에서 더 높은 출력 전력을 처리할 수 있게 되었다.

넥스페리아의 IGBT 및 모듈(WIM)의 와이드 밴드갭 수석 부사장 겸 비즈니스 그룹 책임자인 에도라도 메를리(Edoardo Merli)는 "이 기능을 사용하면 다른 공급업체가 제공하는 유사 등급의 RDS(on) 소자들에 비해 Nexperia SiC MOSFET 소자에서 더 많은 전력을 얻을 수 있으므로 고객사들은 비용상의 이점을 누릴 수 있게 된다”라며 “완화된 냉각 요구 사항, 더 작은 수동 부품 수, 더 높은 효율성을 통해 고객사들은 더 자유로이 설계를 할 수 있을 뿐 아니라 총 소유 비용도 낮출 수 있게 된다. 이러한 소자들이 차세대 차량 설계에 실질적인 차이를 만들어 내 성능 및 효율면에서 경쟁력을 가질 자동차 시장에 채택되게 되어 매우 기쁘다"라고 언급했다.

한편 넥스페리아는 올해 안에 17mΩ 및 80mΩ RDS(on) SiC MOSFET의 자동차 인증 버전을 출시할 계획이다.

넥스페리아의 SiC MOSFET에 관한 상세 정보는 www.nexperia.com/sic-mosfets에 있다.

About Nexperia